各向异性蚀刻是一种减材微加工技术，旨在优先去除特定方向上的材料，以实现复杂且通常平坦的几何形状。湿法技术利用结构的晶体特性，在晶体取向控制的方向上进行蚀刻。然而，概述了一些定性方面来解释各向异性的性质。各向异性应该是由于边缘硅原子和蚀刻自由基之间的分子相互作用而导致硅-硅背边界强度的变化造成的。蚀刻速率的极性图包含有关蚀刻反应分子机制的有价值的信息，可用于显着增强微加工技术。因此，从原子参数（例如键合强度和图各向异性）开始的工具应该在确定不同模型的适用性和局限性方面提供真正的进展。实现各向异性蚀刻轮廓的第一种方法是在硅蚀刻期间使用例如基于CF的等离子体来保护侧壁。离子辅助反应的有效性稍微依赖于离子能量。在该方法中，晶片表面和侧壁受到蚀刻过程中等离子体中产生的SiO2等无机材料或有机聚合物的保护，并且整个晶片表面和图案化侧壁必须覆盖有保护材料。虽然表面的保护层因离子和自由基的方向性而受到侵蚀，但由于几乎没有碰撞离子，图案侧壁的保护层不会剥落。这是模式的基本机制。侧壁保护方法。
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